| 发明名称 | 光电子半导体芯片以及用于制造光电子半导体芯片的方法 | ||
| 摘要 | 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，其包括半导体层序列(2)，该半导体层序列具有设置用于产生电磁辐射的至少一个有源层(3)。此外，光电子半导体芯片(1)具有至少间接地施加在半导体层序列(2)的辐射穿透面(20)上的耦合输出结构(4)。在此，耦合输出结构(4)的材料与半导体层序列(2)的材料不同。耦合输出结构(4)的材料的折射率与半导体层序列(2)的材料的折射率彼此偏差最高30％。此外，耦合输出结构(4)的棱面(40)具有总面积，其为辐射穿透面(20)的面积的至少30％。 | ||
| 申请公布号 | CN102227825A | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN200980148152.3 | 申请日期 | 2009.11.02 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 尼古劳斯·格迈因维泽;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安德烈亚斯·莱贝尔 |
| 分类号 | H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王萍;李春晖 |
| 主权项 | 一种光电子半导体芯片(1)，其具有半导体层序列(2)，该半导体层序列具有用于产生电磁辐射的至少一个有源层(3)，并且该半导体芯片具有耦合输出结构(4)，该耦合输出结构至少间接地施加在半导体层序列(2)的辐射穿透面(20)上，其中‑耦合输出结构(4)的材料与半导体层序列(2)的材料不同，‑耦合输出结构(4)的材料的折射率与半导体层序列(2)的材料的折射率彼此偏差最高30％，以及‑耦合输出结构(4)的棱面(40)具有总面积，该总面积为辐射穿透面(20)的面积的至少5％。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||