| 发明名称 | 一种相变存储材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种相变存储材料及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑-硒的化合物。化学组分为GaxSbySez，其中4<x<40, 25<y<85,5<z<70,x+y+z=100。本发明的镓-锑-硒相变薄膜材料，与常用的Ge2Sb2Te5(GST)材料相比，具有更好的热稳定性、更快的相变速度和更低的熔点。同时，本发明的镓-锑-硒相变薄膜材料不含元素Te，对环境友好，不会污染半导体设备，便于后续工艺加工。由所述相变存储材料制作的相变存储器具有数据保持力强、功耗低、操作速度快，及电学性能稳定等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102227015A | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN201110135885.2 | 申请日期 | 2011.05.24 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 吕业刚;宋三年;宋志棠;刘波;饶峰;吴良才 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料为镓‑锑‑硒的化合物。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||