薄膜晶体管及其制造方法与应用其的液晶显示面板

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法与应用其的液晶显示面板。薄膜晶体管包括一栅极、一栅极绝缘层、一半导体层以及一源极及漏极金属化层。栅极及栅极绝缘层设置于一基板上，栅极绝缘层是覆盖栅极。半导体层设置于栅极绝缘层上。源极及漏极金属化层位于半导体层两侧，并且包括一第一导体层、一第二导体层及一第三导体层，各导体层依序设置于半导体层上。第一导体层的下表面与半导体层上表面完全接触无暴露处。第一导体层的上表面部分暴露出第二导体层。第三导体层的下表面与第二导体层的上表面完全接触无暴露处。可于制程中有效控制薄膜晶体管的通道宽度，进一步维持薄膜晶体管的制程品质，并具有不需增购制程设备、可相容于传统制程的优点。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一栅极，设置于一基板上；一栅极绝缘层，设置于所述基板上且覆盖所述栅极；一半导体层，设置于所述栅极绝缘层上，所述半导体层包括：一硅层，设于所述栅极绝缘层上；及一掺杂层，位于所述硅层上的两侧，其中所述掺杂层的下表面与所述硅层接触，位于所述硅层两侧的所述掺杂层的侧面是两两相对；以及一源极及漏极金属化层，位于所述半导体层的两侧，并且包括：一第一导体层，设置于所述掺杂层上，所述第一导体层的下表面与所述掺杂层上表面完全接触无暴露处；一第二导体层，设置于所述第一导体层上，所述第一导体层的上表面部分暴露出所述第二导体层；及一第三导体层，设置于所述第二导体层上，所述第三导体层的下表面与所述第二导体层的上表面完全接触无暴露处。