| 摘要 |
<p>본 발명은 고전압(high voltage)용으로 사용가능한 바이폴라 접합 트랜지스터(bipolar junction transistor : BJT)의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 방법은, 고전압용 P형 웰이 구비된 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 기판에 팔각틀 모양의 제1 P형 베이스 영역을 형성, 상기 제1 P형 베이스 영역 안쪽 기판에 팔각틀 모양의 제2 P형 베이스 영역을 형성 및 상기 제2 P형 베이스 영역 안쪽 기판에 팔각틀 모양의 제3 P형 베이스 영역을 형성하는 단계; 상기 기판 결과물에 대해 열처리를 실시하는 단계; 상기 제1 P형 베이스 영역과 제2 P형 베이스 영역 사이의 기판 및 상기 제2 P형 베이스 영역과 제3 P형 베이스 영역 사이의 기판에 각각 팔각틀 모양의 제1, 제2 N형 베이스 영역을 형성하고 상기 제3 P형 베이스 영역 안쪽 기판에 팔각형 모양의 제3 N형 베이스 영역을 형성하는 단계; 상기 제1, 제2, 제3 P형 베이스 영역들 및 상기 제1,제2, 제3 N형 베이스 영역들 사이의 기판에 소자분리막들을 형성하는 단계; 상기 제2 N형 베이스 영역에 N형 불순물을 이온주입하여 팔각틀 모양의 에미터 영역을 형성하는 단계; 상기 제1, 제3 N형 베이스 영역 내에 N형 불순물을 이온주입하여 콜렉터 영역을 형성하는 단계; 및 상기 제1 P형 베이스 영역 내에 P형 불순물을 이온주입하여 베이스 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.</p> |
