Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer containing nikel methods of fabricating same and light emitting devices including the same

摘要

n형 실리콘 카바이드에 대한 반사형 오믹 콘택은 니켈을 포함하는 층을 포함한다. 상기 니켈을 포함하는 층은 상기 실리콘 카바이드로부터 발산되는 광학 복사가 투과되도록 하고, 상기 실리콘 카바이드에 대한 오믹 콘택이 형성되도록 한다. 반사층은 상기 실리콘 카바이드 반대편으로, 상기 니켈을 포함하는 층 상에 형성된다. 장벽층은 상기 니켈을 포함하는 층 반대편으로, 상기 반사층 상에 형성된다. 그리고 상기 본딩층은 상기 반사층 반대편으로, 상기 장벽층 상에 형성된다. 상기 니켈을 포함하는 층 및 여기에 형성된 상기 반사층은 낮은 오믹 손실, 고반사도, 또는 이들 모두를 가질 수 있는 실리콘 카바이드에 대한 반사형 오믹 콘택을 제공할 수 있다.