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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE RESISTANCE SWITCHING MEMORY AND THE MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 KR20110116295(A) 申请公布日期 2011.10.26
申请号 KR20100035638 申请日期 2010.04.19
申请人 INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI UNIVERSITY 发明人 SOHN, HYUN CHUL;KO, DAE HONG;KIM, JONG GI;LEE, KYU MIN
分类号 H01L21/8247 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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