| 主权项 |
一种存储器单元，其特征在于，包括：一第一金属氧化半导体晶体管，该第一金属氧化半导体晶体管的第一端耦接一第一接点，且该第一接点耦接一第一电压，该第一金属氧化半导体晶体管的第二端耦接一第二电压，而该第一金属氧化半导体晶体管的栅极端则耦接一第二接点，且该第二接点耦接该第一电压；一第二金属氧化半导体晶体管，该第二金属氧化半导体晶体管的第一端耦接该第二接点，该第二金属氧化半导体晶体管的第二端耦接一第三电压，而该第二金属氧化半导体晶体管的栅极端则耦接该第一接点；一第一非挥发性装置，该第一非挥发性装置的控制栅极端耦接一第一控制偏压，该第一非挥发性装置的第一端耦接该第一接点，该第一非挥发性装置的第二端则耦接一第一位线；一第二非挥发性装置，该第二非挥发性装置的控制栅极端耦接一第二控制偏压，该第二非挥发性装置的第一端耦接该第二接点，该第二非挥发性装置的第二端则耦接一第二位线，其中该第一非挥发性装置与该第二非挥发性装置分别包括：一基底，具有一源极区与一漏极区；一电荷储存层，配置于该基底上，该电荷储存层的一非数据侧储存多辅助电荷以加速另一侧电荷储存层的程序化速度；以及一控制栅极，配置于该电荷储存层上，其中当该存储器单元进行程序化写入时，该第一电压、该第二接点、该第一位线与该第二位线的逻辑电位为逻辑高电位，该第一接点的逻辑电位为逻辑低电位，则该第一非挥发性装置被程序化，该第二非挥发性装置不被程序化。 |
