发明名称 电子元件装置及其制造方法
摘要 一种电子元件装置及其制造方法,该电子元件装置包括一第一支架、一第二支架与一晶粒。该第一支架包括一锡焊区、一打线区以及一隔离部,该隔离部以激光加工方式蚀及一可氧化层。该第二支架,包括一锡焊区、一打线区、一固晶区以及一隔离部。该晶粒载设于该第二支架的固晶区,并借打线方式分别连结于该第一支架与该第二支架的打线区。本发明还公开了该电子元件装置的制造方法。本发明可防止电子元件损坏,提高良率。
申请公布号 CN101383332B 申请公布日期 2011.10.26
申请号 CN200710148059.5 申请日期 2007.09.03
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 邹文杰;张正宜;林明魁;蔡志嘉
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种电子元件装置,其特征在于包括:一第一支架,包括一锡焊区、一打线区,及一第一隔离部;一第二支架,包括一锡焊区、一打线区、一固晶区,及一第二隔离部;一晶粒,载设于该第二支架的固晶区,并分别电性连结于该第一支架与该第二支架的打线区;以及一封装体,用以包覆晶粒与上述打线区;其中所述的第一隔离部与第二隔离部分别为一凹沟,且分别邻靠于该封装体一侧。
地址 中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号
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