用于δ掺杂多层结构的掺杂剂校准的方法

摘要

在一种校准方法中，根据δ掺杂层所在的材料的多个体试样来确定S1多层半导体结构中的δ掺杂层的掺杂剂浓度与工艺参数之间的关系。选取S2预期掺杂剂浓度，以及可根据工艺参数与预定掺杂浓度之间的关系来生成S3具有预定掺杂等级的半导体结构。

主权项

一种用于为多层半导体结构中包含的至少两个δ掺杂层校准掺杂等级的方法，其特征在于：根据具有对应的至少两个δ掺杂层的多个体试样为所述至少两个δ掺杂层确定(S1)工艺参数与掺杂等级之间的关系，其中所述体试样具有同质成分；为所述多层结构中的所述至少两个δ掺杂层选择(S2)预定掺杂等级；以及至少根据所选的预定掺杂等级以及所述工艺参数与掺杂等级之间的已确定关系，生成(S3)所述多层结构和所述至少两个δ掺杂层。