双沟槽隔离结构的形成方法

摘要

一种双沟槽隔离结构的形成方法包括：提供包括衬底硅，掩埋绝缘层和顶层硅的绝缘体上硅，在顶层硅上依次形成衬垫层，硬掩膜层和第二掩模层；以图案化的第二掩膜层为掩模，刻蚀硬掩模层，衬垫层以及部分顶层硅达到第二沟槽设定深度，形成第二开口；去除第二掩模层，在所述硬掩膜层上以及第二开口内形成牺牲层；去除部分牺牲层至暴露出硬掩膜层；在所述硬掩膜层以及牺牲层上形成图案化的第一掩膜层，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层形成第一开口，第二开口区域与第一开口区域部分重叠；刻蚀衬垫层、顶层硅至暴露出掩埋绝缘层；去除牺牲层，第一掩膜层和硬掩模层，形成设定深度的第一沟槽和第二沟槽。所述方法中的牺牲层保护第二开口下的掩埋绝缘层，避免了在刻蚀第一开口的过程中被刻穿。

主权项

一种双沟槽隔离结构的形成方法，包括如下步骤：提供包括衬底硅，掩埋绝缘层和顶层硅的绝缘体上硅，在所述的顶层硅上依次形成衬垫层，硬掩膜层和第二掩膜层；以图案化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层，衬垫层以及部分顶层硅达到设定深度，形成第二开口；去除第二掩膜层，在所述硬掩膜层上以及第二开口内形成牺牲层；去除部分牺牲层至暴露出硬掩膜层；在所述硬掩膜层以及牺牲层上形成图案化的第一掩膜层，以图案化的第一掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层，形成第一开口，第二开口区域与第一开口区域部分重叠；沿第一开口继续刻蚀衬垫层、顶层硅至暴露出掩埋绝缘层；去除所述牺牲层，第一掩膜层和硬掩模层，形成设定深度的第一沟槽和第二沟槽，其中，第一开口对应位置形成第一沟槽，第二开口对应位置形成第二沟槽。