发明名称 |
衬底结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种衬底结构,包括:相对设置的第一衬底和第二衬底;所述第一衬底的第一表面朝向第二衬底的第二表面,所述第一表面依次设置有导体互连层和键合层;所述键合层将第一衬底及导体互连层与第二衬底连接。该衬底结构及其制作方法。可以将第二衬底作为支撑功能的衬底,第一衬底作为直接制作器件的衬底,而第一衬底为通过晶体生长形成的,不会有厚度和自身的应力的问题,避免了不必要的应力,进而提高在第一衬底中形成的器件的性能。 |
申请公布号 |
CN102226999A |
申请公布日期 |
2011.10.26 |
申请号 |
CN201110121476.7 |
申请日期 |
2011.05.11 |
申请人 |
迈尔森电子(天津)有限公司 |
发明人 |
柳连俊 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明;王宝筠 |
主权项 |
一种衬底结构,其特征在于,包括:相对设置的第一衬底和第二衬底;所述第一衬底的第一表面朝向第二衬底的第二表面,所述第一表面依次设置有导体互连层和键合层;所述键合层将第一衬底及导体互连层与第二衬底连接。 |
地址 |
300381 天津市南开区宾水西道奥城商业广场A3-518室 |