发明名称 |
一种孔槽式变耦自均衡功率漏泄同轴电缆 |
摘要 |
本实用新型涉及一种孔槽式变耦自均衡功率漏泄同轴电缆,包括位于漏泄同轴电缆中心的内导体;包覆于内导体外的绝缘层;设置在绝缘层外的外导体;包覆在所述外导体外的外护套,其特征在于:外导体具有多个漏泄孔槽,漏泄孔槽自同轴电缆的能量输入端到同轴电缆的能量输出端沿同轴电缆的轴线依次排列分布,外导体上两个相邻的漏泄孔槽之间的距离自同轴电缆的能量输入端到同轴电缆的能量输出端依次减小,外导体上漏泄孔槽的面积自同轴电缆的能量输入端到同轴电缆的能量输出端依次增大。优点是:结构简单、电磁波辐射性能优异且可以避免能源浪费。 |
申请公布号 |
CN202019044U |
申请公布日期 |
2011.10.26 |
申请号 |
CN201120155965.X |
申请日期 |
2011.05.13 |
申请人 |
冯嵩 |
发明人 |
冯嵩 |
分类号 |
H01P3/06(2006.01)I;H01Q13/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01P3/06(2006.01)I |
代理机构 |
天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 |
代理人 |
郑乘澄 |
主权项 |
一种孔槽式变耦自均衡功率漏泄同轴电缆,包括位于漏泄同轴电缆中心的内导体;包覆于内导体外的绝缘层;设置在绝缘层外的外导体;包覆在所述外导体外的外护套,其特征在于:所述外导体具有多个漏泄孔槽,所述漏泄孔槽自同轴电缆的能量输入端到同轴电缆的能量输出端沿同轴电缆的轴线依次排列分布,所述外导体上两个相邻的漏泄孔槽之间的距离自同轴电缆的能量输入端到同轴电缆的能量输出端依次减小,所述外导体上漏泄孔槽的面积自同轴电缆的能量输入端到同轴电缆的能量输出端依次增大。 |
地址 |
300231 天津市河北区榆关道东海花园15号楼3门401室 |