发明名称 CHARGE TRAP MEMORY HAVING LIMITED CHARGE DIFFUSION
摘要 <p>Subject matter disclosed herein relates to flash memory, and more particularly to a charge trap memory and a process flow to form same.</p>
申请公布号 KR20110117031(A) 申请公布日期 2011.10.26
申请号 KR20110036831 申请日期 2011.04.20
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 GROSSI ALESSANDRO
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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