| 发明名称 | 大功率电源集成电路MOSFET电流在片测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了大功率电源集成电路MOSFET电流在片测试方法，以提高大功率集成电路中电流检测精度；该方法包括步骤：采集待检测MOSFET的输出电流；采用在片MOSFET测试结构，将采集到的电流进行三级以上缩小，获得最终检测电流。该结构包括：输出电流采集模块，用于采集待检测MOSFET电流，在片MOSFET测试模块，用于将电流采集模块采集的电流进行三级以上缩小，获得最终检测电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102226819A | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN201110063005.5 | 申请日期 | 2011.03.16 |
| 申请人 | 上海宏泰源电子技术有限公司 | 发明人 | 张炯;程晓峰 |
| 分类号 | G01R19/00(2006.01)I | 主分类号 | G01R19/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种在片金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)电流检测方法，其特征在于，包括步骤：采集待检测金属氧化物半导体场效应管的电流；采用在片金属氧化物半导体场效应管测试结构，将采集到的电流进行三级以上缩小，获得测试电流。 | ||
| 地址 | 201203 上海市青桐路618弄13号301室 | ||