| 发明名称 | 荧光体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种荧光体的制造方法，所述荧光体为在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体。所述方法包含将氮化硅粉末、氮化铝粉末和氧化铕粉末的混合物在氮气气氛中、在1820～2200℃的温度范围内进行烧成的烧成工序；所述混合物的比例由fSi3N4·gAlN·hEu2O3的摩尔组成式表示，且f、g和h满足f+g+h＝1、0.04≤g≤0.14和0.002≤h≤0.006的关系式。 | ||
| 申请公布号 | CN102226085A | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN201110100509.X | 申请日期 | 2006.03.20 |
| 申请人 | 独立行政法人物质·材料研究机构 | 发明人 | 广崎尚登 |
| 分类号 | C09K11/80(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/80(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶;於毓桢 |
| 主权项 | 一种荧光体的制造方法，所述荧光体为在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体，该制造方法的特征在于，包含将氮化硅粉末、氮化铝粉末和氧化铕粉末的混合物在氮气气氛中、在1820～2200℃的温度范围内进行烧成的烧成工序，所述混合物的比例由fSi3N4·gAlN·hEu2O3的摩尔组成式表示，且f、g和h满足f+g+h＝1、0.04≤g≤0.14和0.002≤h≤0.006的关系式。 | ||
| 地址 | 日本茨城县 | ||