电流限制的相变化存储器装置结构

摘要

本发明涉及一种电流限制的相变化存储器装置结构，其中使用具有10nm级尺寸的纳米粒子层以形成电流限制层或作为用于自下部绝缘体层形成电流限制层的硬掩模。该纳米粒子优选在底表面上自我对准和/或自我平坦化。该电流限制层可形成于底导电板内、相变化材料层内、顶导电板内、或在含有相变化材料或顶导电材料的锥形介层侧壁与介层栓塞之间的锥形内衬内。该电流限制层周围局部结构的电流密度高于周围区域，因而允许局部温度升高至高于周围材料。由于该电流限制层，编程该相变化存储器装置所需的总电流及因此编程晶体管的尺寸可以降低。

主权项

一种半导体结构，包含：相变化材料层；电流限制层，其邻接所述相变化材料层且包含嵌入于导电材料中且由导电材料分隔的绝缘性纳米粒子单层；第一导电板，其邻接所述电流限制层且包含所述导电材料；以及第二导电板，其邻接所述相变化材料层且与所述第一导电板分开。