发明名称 SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
摘要 <p>본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로, 처리실(42)은 실제로 기판(G)의 가열처리를 행하는 곳이고, 기판(G)의 표면으로부터 레지스터(R)를 가열하는 상단 플레이트(45), 기판(G)의 이면으로부터 레지스트(R)를 가열하는 하단 플레이트(46) 및 처리실(42)내의 가스를 배기하는 배기구(47)를 갖는다. 상단 플레이트(45)는 상부 구동기구(43)를 구성하는 상부 에어실린더(51)에 의해 처리실(42)내를 수직방향으로 승강가능하게 설치되어 있다. 하단 플레이트(46)는 처리실(42)의 맡바닥(42b)에 재치된다. 배기구(47)는 배관(48)을 통해 펌프(50)에 접속된다. 상단 플레이트(45), 하단 플레이트(46)에 의한 가열온도, 가열시간, 가열제어부(70)에 의해 제어된다. 처리실(42)내의 기압의 제어는 기압제어부(73)에 의해 펌프(50)가 제어되는 것으로 행해지는 기술을 제공한다.</p>
申请公布号 KR101076952(B1) 申请公布日期 2011.10.26
申请号 KR20030093585 申请日期 2003.12.19
申请人 发明人
分类号 H01L21/027;G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20;H01L21/00 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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