| 发明名称 | 一种提高烧结体氧化镁靶材体积密度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种提高烧结体氧化镁靶材体积密度的方法，包括以下步骤：步骤A，湿法混料阶段：将含硅的氧化物、氢氧化物或有机物作为烧结剂与高纯镁质原料均匀混合；步骤B，烧结阶段：将步骤A得到的混料烧结，烧结温度1450~1750℃，恒温时间2~15小时。本发明将技术方法融入在整个工艺工程中，不用延长工艺过程，无需额外添加设备，且能大幅度降低烧结温度和烧结时间。本发明在制造成本、产品性能等方面都展现出显著的竞争优势和利润空间。 | ||
| 申请公布号 | CN102225862A | 申请公布日期 | 2011.10.26 |
| 申请号 | CN201110101506.8 | 申请日期 | 2011.04.22 |
| 申请人 | 辽宁中大超导材料有限公司 | 发明人 | 林宇;王宁会;穆卓艺;潘忠艺;张百平 |
| 分类号 | C04B35/04(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人 | 修德金 |
| 主权项 | 一种提高烧结体氧化镁靶材体积密度的方法，包括以下步骤：步骤A，湿法混料阶段：将含硅的氧化物、氢氧化物或有机物作为烧结剂与高纯镁质原料均匀混合； 步骤B，烧结阶段：将步骤A得到的混料烧结，烧结温度1450~1750℃，恒温时间2~15小时。 | ||
| 地址 | 115000 辽宁省营口市沿海产业基地新联大街东一号 | ||