一种光刻后注入离子的方法

摘要

本发明公开了一种光刻后注入离子的方法。本发明在半导体基底与光刻胶之间增加了屏蔽层，用来屏蔽经光刻胶沟槽侧壁折射而损失能量的注入离子。这样，损失一部分能量的离子不会注入至半导体基底中，保证了注入至半导体基底中的离子能量均匀，从而抑制了WPE效应。而且，本发明通过提高烘烤温度使得光刻胶沟槽的侧壁向其外侧倾斜。这样，离子经由沟槽的侧壁折射后，可能会从沟槽顶部的开口射出而不会轰击在屏蔽层，因而能够降低经侧壁折射的离子穿过屏蔽层的概率，从而进一步抑制了WPE效应。

主权项

一种光刻后注入离子的方法，其特征在于，该方法包括：在半导体基底上旋涂屏蔽层；在所述屏蔽层上旋涂光刻胶；选择性曝光所述光刻胶，并去除被感光部分的光刻胶形成沟槽，然后以大于110℃、小于200℃的温度进行烘烤；在所述沟槽处向所述半导体基底注入离子。