| 摘要 |
<p>벌크 실리콘(bulk Si) 기판을 도입하고, 기판에 소스(source), 채널(channel) 및 드레인(drain)의 층들을 형성한 후, 비트 라인(bit line) 방향으로 길게 연장되는 활성 제1영역들을 설정하는 제1트렌치(trench)들을 형성하고, 제1트렌치를 채워 활성 제1영역들을 워드 라인(word line) 방향으로 상호 격리시키는 절연층을 형성한다. 활성 제1영역을 비트 라인 방향으로 상호 분리시켜 활성 제2영역으로 설정하는 제2트렌치들을 형성한 후, 제2트렌치들의 바닥에 소스에 연결되는 소스 라인(source line)들을 형성하고, 소스 라인 상에 절연을 위한 소스 분리층을 형성한 후, 소스 분리층 위의 제2트렌치들의 측벽으로 노출된 활성 제2영역의 측벽 표면을 덮어 활성 제2영역을 절연층과 함께 플로팅(floating)시키는 게이트 유전층들을 형성한다. 게이트 유전층을 덮게 제2트렌치들을 채우는 게이트들을 형성하는 플로팅바디셀(FBC) 소자 제조 방법을 제시한다.</p> |
