Method for programming NAND type flash memory

摘要

페이지 단위의 프로그램 동작에서 먼저 프로그램된 메모리 셀의 패스 디스터브로 인해 메모리 셀의 문턱전압 분포가 이동하는 것을 방지할 수 있는 플래시 메모리소자의 프로그램 방법은, N개의 메모리 셀이 연결된 복수의 셀 스트링을 포함하고, 메모리 셀들의 게이트는 워드라인으로 연결된 낸드 플래시 메모리소자의 프로그램 방법에 있어서, 둘 이상의 워드라인에 동시에 프로그램전압을 인가하여 프로그램하는 것을 특징으로 한다.