| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 장치 및 그 형성 방법에 관한 것으로서, RFID 칩의 메모리부에 포함된 강유전체 메모리의 커패시터 열화를 방지할 수 있도록 하는 기술을 개시한다. 이러한 본 발명은 메탈라인의 상측에 형성된 강유전체 커패시터, 강유전체 커패시터의 상측 일부 및 측면에 형성된 수소 배리어막, 수소 배리어막의 상부와 측면에 형성된 메탈 절연막, 및 메탈 절연막의 상부와 측면에 형성되어 강유전체 커패시터의 상부전극과 연결되는 플레이트 라인을 포함한다.</p> |
