首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Overlayer Mark Of Semiconductor Device
摘要 <p>본 발명은 반도체 소자의 중첩 마크에 관한 것으로, 상부의 불투명 필름 층을 증착하면서 발생할 수 있는 중첩도 저하 문제를 해결하기 위하여, 종래의 오목형 및 볼록형 중첩 마크를 혼합하여 사용함으로써 중첩 마크의 왜곡을 감소시키고 중첩도를 향상시킬 수 있으므로 중첩 여유도를 높이고 안정적으로 반도체 소자를 형성할 수 있는 효과를 제공하는 기술이다.</p>
申请公布号 KR101076795(B1) 申请公布日期 2011.10.25
申请号 KR20040074269 申请日期 2004.09.16
申请人 发明人
分类号 H01L21/027;H01L23/544 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com