互补式金氧半导体电晶体及其制作方法

主权项

一种制作互补式金氧半导体电晶体之方法，包含有：提供一半导体基底，包含有一第一导电型式金氧半导体元件区与一第二导电型式金氧半导体元件区，该半导体基底于该第一导电型式金氧半导体元件区包含有一第二导电型式掺杂井，而于该第二导电型式金氧半导体元件区包含有一第一导电型式掺杂井；于该半导体基底之表面形成复数个隔离结构；于该第一导电型式金氧半导体元件区形成一闸极结构；于该半导体基底之表面形成一第一遮罩图案，该第一遮罩图案曝露出该第一导电型式金氧半导体元件区之该闸极结构以及该闸极结构二侧之半导体基底；利用该第一遮罩图案作为遮罩，藉由离子布植于该第一导电型式金氧半导体元件区之该闸极结构二侧之该第二导电型式掺杂井中形成二轻掺杂汲极；利用该第一遮罩图案作为遮罩，藉由离子布植于该第一导电型式金氧半导体元件区之该闸极结构二侧之该第二导电型式掺杂井中形成二深口袋型(deep halo)掺杂区，其中该二深口袋型掺杂区系为第二导电型式且在该第二导电型式金氧半导体元件区中不会形成该深口袋型掺杂区；去除该第一遮罩图案，并于该第一导电型式金氧半导体元件区之该闸极结构以及该第二导电型式金氧半导体元件区之该闸极结构之侧壁形成侧壁子；于该半导体基底之表面形成一第二遮罩图案，该第二遮罩图案曝露出该第一导电型式金氧半导体元件区之该闸极结构以及该闸极结构之该等侧壁子二侧之该半导体基底；利用该第二遮罩图案作为遮罩，藉由离子布植于该第一导电型式金氧半导体元件区之该闸极结构二侧之该第二导电型式掺杂井中形成二源极/汲极掺杂区，且该等源极/汲极掺杂区与该等深口袋型掺杂区不相接触；以及去除该第二遮罩图案。