| 发明名称 |
Ⅲ族元素氮化物单结晶之制造方法及其所使用之装置 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI350862 |
申请公布日期 |
2011.10.21 |
| 申请号 |
TW093106904 |
申请日期 |
2004.03.16 |
| 申请人 |
國立大學法人大阪大學 日本 |
发明人 |
佐佐木孝友 日本;森勇介 日本;吉村政志 日本;川村史朗 日本;梅田英和 日本 |
| 分类号 |
C30B29/38 |
主分类号 |
C30B29/38 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种III族元素氮化物单结晶之制造方法，系将择自硷金属与硷土金属所构成群中之至少1种金属元素、与择自镓(Ga)、铝(Al)及铟(In)所构成群中之至少1种III族元素放入反应容器并加热，以形成该金属元素之熔剂，再将含氮气体导入该反应容器内，于该熔剂中使III族元素与氮反应，而成长出III族元素氮化物单结晶；且一边使该反应容器摇动以搅拌混合该熔剂与该III族元素，一边进行该单结晶之成长。 |
| 地址 |
日本 |
