发明名称 烷氧化物、薄膜形成用原料及薄膜之制造方法
摘要
申请公布号 TWI350837 申请公布日期 2011.10.21
申请号 TW094136573 申请日期 2005.10.19
申请人 艾迪科股份有限公司 日本 发明人 山田直树;樱井淳
分类号 C07F15/02;C07C215/08;C23C16/40;H01L21/312;H01L29/78;H01L27/04 主分类号 C07F15/02
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种烷氧化物,其系以下述通式(I)所示者,(式中,R1及R2分别独立表示氢原子或碳原子数1~4之烷基,R3及R4表示碳原子数1~4之烷基,A表示碳原子数1~8之烷二基(alkanediyl groups))。
地址 日本