制造半导体装置之方法

主权项

一种制造一半导体装置之方法，该方法包括：在一第一膜上形成一光阻图案；将该光阻图案用作一光罩，将增加该第一膜之蚀刻速率的一预定掺杂物植入于该第一膜中，从而在该第一膜中形成一植入层；以及将该光阻图案用作一光罩，蚀刻该第一膜之一第一部分，其系该植入层的至少一部分；其中将湿式蚀刻用于蚀刻该第一膜之该第一部分。