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发明名称 VERTICAL CHANNEL TYPE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要 <p>본 기술에 따르면, 채널을 따라 적층된 복수의 메모리 셀들의 전하트랩막 또는 전하저장막을 각각 분리시킴으로써, 메모리 셀들의 문턱 전압 이동을 방지할 수 있다. 따라서, 메모리 소자의 사이클링 특성 및 데이터 보유 특성을 향상시켜 메모리 소자의 신뢰성을 개선할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101075494(B1) 申请公布日期 2011.10.21
申请号 KR20090127157 申请日期 2009.12.18
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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