发明名称 NON VOLATILE MEMORY DEVICE, METHOD FOR PROGRAM AND ERASE OF THE SAME
摘要 <p>본 발명은 비휘발성 메모리장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 비휘발성 메모리장치의 프로그램 방법은, 다수의 메모리 셀로 구성된 셀스트링을 구비하는 비휘발성 메모리장치를 ISPP(Incremental Step Pulse Program) 방식으로 프로그램하는 방법에 있어서, 워드라인에 가해지는 최초의 프로그램 펄스를 슬로프 형태로 인가하는 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR101075996(B1) 申请公布日期 2011.10.21
申请号 KR20090091284 申请日期 2009.09.25
申请人 发明人
分类号 G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人
主权项
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