发明名称 PROCEDE DE DECONTAMINATION DE TRANCHES SEMICONDUCTRICES
摘要 <p>L'invention concerne un procédé de décontamination d'au moins un objet (7, 9) contenu dans une enceinte (1), ce procédé comprenant une alternance de premières étapes d'abaissement de la pression dans l'enceinte, et de secondes étapes d'augmentation de la pression dans l'enceinte.</p>
申请公布号 FR2959060(A1) 申请公布日期 2011.10.21
申请号 FR20100052977 申请日期 2010.04.20
申请人 STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS 发明人 MARTIN CHRISTOPHE;COLLURA SEBASTIEN
分类号 H01L21/324;H01L21/441;H01L21/67 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人
主权项
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