| 摘要 |
<p>본 발명은 후속 열공정(산화공정 및 열처리 공정)을 수행하는 동안 매립게이트가 열화되는 것을 방지할 수 있는 반도체장치 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로서, 본 발명의 반도체장치는 트렌치가 구비된 기판; 상기 트렌치를 일부 매립하는 매립게이트; 상기 매립게이트 상에 형성되어 상기 트렌치의 나머지를 갭필하는 층간절연막; 및 상기 기판의 전면을 덮는 보호막(질화막)을 포함하고, 상술한 본 발명은 매립게이트가 형성된 반도체기판의 전면에 보호막을 형성해주므로써 후속 열공정에 노출된다고 하더라도 매립게이트가 열화되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.</p> |
