| 摘要 |
<p>본 발명은, 메모리 셀들에 소거 동작을 실시하는 단계; 제1 소거 기준 전압을 이용하여 제1 소거 검증 동작을 실시하는 단계; 및 상기 메모리 셀들의 문턱전압이 상기 제1 소거 기준 전압보다 높고, 상기 소거 동작의 횟수가 최대횟수에 도달한 메모리 셀들에 대하여, 상기 제1 소거 기준 전압보다 높은 제2 소거 기준 전압을 이용하여 제2 소거 검증 동작을 실시하는 단계를 포함하되, 상기 제2 소거 기준 전압은 비트라인과 센싱노드 사이에 접속된 스위칭 소자의 게이트단에 인가되는 전압에 따라 결정되는 불휘발성 메모리 소자의 소거 동작 방법으로 이루어진다.</p> |
