| 摘要 |
<p>메모리 스트링은 기판 위에 적층 방향으로 연장되는 기둥 형상부를 포함하는 제1 반도체층과, 상기 기둥 형상부를 둘러싸도록 형성된 제1 전하 축적층과, 상기 제1 전하 축적층을 둘러싸도록 상기 기판 위에 적층된 복수의 제1 도전층을 구비한다. 선택 트랜지스터는, 상기 기둥 형상부의 상면에 접하여 적층 방향으로 연장되는 제2 반도체층과, 상기 제2 반도체층을 둘러싸도록 형성된 제2 전하 축적층과, 상기 제2 전하 축적층을 둘러싸도록 상기 제1 도전층 위에 퇴적된 제2 도전층을 구비한다. 상기 제2 전하 축적층은 상기 제2 도전층의 하층으로부터 상기 제2 도전층의 상단부 근방까지 형성되고, 또한 상기 상단부 근방보다도 상층에는 형성되어 있지 않다.</p> |
