| 摘要 |
<p>본 발명은 종횡비가 증가하더라도 활성필라의 쓰러짐을 방지할 수 있고, 채널영역 이외의 게이트도전막을 용이하게 제거할 수 있는 반도체장치 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체장치 제조 방법은 패드막을 식각장벽으로 기판을 식각하여 복수의 제1활성필라를 형성하는 단계; 상기 제1활성필라와 패드막의 측벽을 에워싸는 게이트도전막을 형성하는 단계; 상기 게이트도전막 사이의 공간에 매립되어 이웃하는 상기 게이트도전막들을 연결시키는 워드라인을 형성하는 단계; 상기 패드막을 제거하는 단계; 상기 워드라인의 측벽이 일부 노출되도록 상기 게이트도전막의 상부를 일부 식각하여 수직게이트를 형성하는 단계; 상기 수직게이트 상부에서 상기 워드라인의 노출된 측벽을 에워싸는 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 제1활성필라 상에 제2활성필라를 형성하는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 채널영역으로 기능하는 제1활성필라와 수직트랜지스터의 드레인영역으로 기능하는 제2활성필라를 나누어 형성하므로써 활성필라의 종횡비(Aspect Ratio)가 증가하더라도 안정적인 활성필라를 형성할 수 있다.</p> |
