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Die Erfindung betrifft zunächst ein Verfahren zum Abscheiden von jeweils mindestens einer Schicht, insbesondere einer Halbleiterschicht auf einer Vielzahl von Substraten (5), wobei in einer Beschichtungsvorrichtung (1) mehrere, insbesondere gleichgestaltete Prozesskammern (2) von einer gemeinsamen Gasversorgungseinrichtung (11) mit Prozessgasen versorgt werden, die jeweils von einem Gaseinlassorgan (3) in die Prozesskammer (2) eingeleitet werden, in der sich auf einem Suszeptor (4) ein oder mehrere der zu beschichtenden Substrate (5) befinden, wobei die vom Abstand einer Prozesskammerdecke (8) und einem Prozesskammerboden (9) definierte Prozesskammerhöhe (H) variierbar ist und einen Einfluss auf die Wachstumsrate der Schicht hat. Um Maßnahmen anzugeben, damit die Schichtdicken der so abgeschiedenen Schichten auf allen Substraten im Wesentlichen identisch sind, wird vorgeschlagen, dass während des Schichtwachstums kontinuierlich bzw. in insbesondere kurzen Intervallen in jeder Prozesskammer (2) an zumindest einem Substrat (5) die Schichtdicke gemessen wird. Mittels eines Reglers (12) und eines Stellgliedes (6) wird die Prozesskammerhöhe (H) so variiert, dass in den Prozesskammern Schichten mit gleicher Schichtdicke abgeschieden werden. Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Vorrichtung zum Abscheiden von mindestens einer Schicht, insbesondere Halbleiterschicht.
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