| 摘要 |
<p>본 발명은 채널영역의 도펀트분포를 균일하고 넓게 형성하면서도 게이트산화막의 균일도를 확보할 수 있는 반도체장치 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체장치 제조방법은 반도체기판 내에 도펀트를 주입하여 채널영역을 형성하는 단계; 제1라디칼산화를 진행하는 단계; 및 제2라디칼산화(Radical oxidation)를 진행하여 상기 실리콘기판 상에 게이트산화막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1라디칼산화는 상기 제2라디칼산화보다 높은 온도에서 짧은 시간동안 제1라디칼산화(스파이크라디칼산화)를 진행하는 것을 특징으로 하며, 상술한 본 발명은 서브 50nm 급 반도체장치 개발시 보다 안정적인 장치특성을 얻기 위해 스파이크(Spike)라는 개념을 게이트산화공정에 접목시킴으로써 도펀트의 활성화에 의해 채널영역 내에서 도펀트 분포가 균일하게 하는 게이트산화막을 형성함으로써 셀과 주변회로영역에서 트랜지스터 특성이 우수한 새들핀 트랜지스터(S-FINFET)를 구현함과 동시에 후속 공정에 대한 추가적인 도펀트의 외확산(Out-diffusion)을 최소한 억제시킴으로 인해 충분한 공정 마진을 확보할 수 있다.</p> |
