| 摘要 |
<p>Es wird Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einem p-dotierten oder n-dotierten Silizium-Substrat (1), das eine im Gebrauchszustand als Lichteinfallsseite dienende erste Hauptoberfläche (2) und eine als Rückseite dienende zweite Hauptoberfläche (3) aufweist, aufgezeigt, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Aufbringen einer Dünnschicht (7), die im Wesentlichen Aluminium umfasst, auf die zweite Hauptoberfläche (3), Aufbringen und Trocknen einer dielektrischen, glasbildenden Paste (11) auf die zweite Hauptoberfläche (2) zum Abdecken der Aluminium-Dünnschicht (7), Erhitzen und/oder Sintern der Paste (11) auf der zweiten Hauptoberfläche (3), insbesondere bei Temperaturen über ca. 577°C, zur Erzeugung einer Aluminium-Dotierschicht (8) in der zweiten Hauptoberfläche (3), und Entfernen der bei dem Erhitzen und/oder Sintern entstandenen Glasschicht (12) und einer bei dem Erhitzen und/oder Sintern entstandenen Aluminium-Silizium-Eutetikumsschicht von der zweiten Hauptoberfläche (3), wodurch die Aluminium-Dotierschicht (8) freigelegt wird.</p> |
