一种沟槽金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明公开了一种改进的沟槽金属氧化物半导体场效应管的结构，本发明有效地避免了现有技术中存在的经过光刻曝光之后，沟槽不能被充分打开的技术困难，提高了沟槽金属氧化物半导体场效应管的成品率。

主权项

一种沟槽金属氧化物半导体场效应管，包括：多个第一沟槽，位于有源区；一个第二沟槽，位于所述有源区的边缘，所述第二沟槽的宽度大于或等于所述第一沟槽的宽度；多个用作栅指结构的第三沟槽，与所述第二沟槽相连，所述第三沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；和多个用于栅极连接的第四沟槽，与所述第三沟槽相连，所述第四沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度。