发明名称 半导体装置及电子设备
摘要 半导体装置(10)具备:半导体基板(11);贯通电极(17),将半导体基板(11)沿厚度方向贯通而设置;内部电极(12),设置在半导体基板(11)的表面的、贯通电极(17)到达的部分,与贯通电极(17)电连接;第1保护膜(13A),将内部电极(12)的一部分除外而覆盖半导体基板(11)的表面;第2保护膜(13B),与第1保护膜(13A)离开而设置在内部电极(12)的未被第1保护膜(13A)覆盖的部分;以及金属布线(18),设置在半导体基板(11)的背面,与贯通电极(17)电连接。
申请公布号 CN102224579A 申请公布日期 2011.10.19
申请号 CN200980146497.5 申请日期 2009.11.19
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 中野高宏;内海胜喜;佐野光
分类号 H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I 主分类号 H01L21/3205(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 黄剑锋
主权项 一种半导体装置,具备:半导体基板;贯通电极,将上述半导体基板沿厚度方向贯通而设置;内部电极,设置在上述半导体基板的第1主面的、上述贯通电极到达的部分,与上述贯通电极电连接;第1保护膜,将上述内部电极的一部分除外而覆盖上述第1主面;第2保护膜,与上述第1保护膜离开而设置在上述内部电极的未被上述第1保护膜覆盖的部分;以及金属布线,设置在上述半导体基板的与上述第1主面相反侧的第2主面,与上述贯通电极电连接。
地址 日本大阪府