一种有效收集衬底电流的LDMOS制备方法

摘要

本发明公开了一种有效收集衬底电流的LDMOS的制备方法，该方法采用标准的LDMOS的制备工艺，仅仅需要通过如下的版图设计来实现可以有效收集衬底电流的LDMOS，即用有源区版，N型漂移区，P型体区以形成LDMOS器件的漏区，源区和体引出区；用多晶版定义沟道区；用N+注入和P+注入版实现漏极，源极和体引出极。将用于源极引出的N+注入的区域和用于体引出的P+注入的区域在源区交替排列。本发明使得体引出的位置更靠近热载流子和相应的衬底电流产生的沟道区域，从而可以更有效地收集衬底电流，避免衬底电流过大而开启寄生的NPN双极型晶体管，防止器件进入Snapback状态并烧毁，从而达到扩大LDMOS的安全工作区域的目的。

主权项

一种有效收集衬底电流的LDMOS制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用隔离工艺，形成有源区和场区；在所述有源区中进行掺杂注入形成N型漂移区和P型体区，所述N型漂移区与P型体区相邻；沉积栅极介质层，并刻蚀形成栅极区，所述栅极区跨设于所述P型体区与N型漂移区上方；在所述P型体区中进行低掺杂形成源区和体引出区，在所述N型漂移区中进行低掺杂形成漏区，所述源区与所述体引出区交替相邻排列于P型体区中。