一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管

摘要

一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，包括栅电极、复合绝缘层、有源层、修饰层和源漏电极，其中修饰层为8-羟基喹啉铝并作为电极/有源层的阻挡层，栅电极为重掺杂磷的硅衬底，复合绝缘层包括SiO2绝缘层和PMMA绝缘层，有源层为高迁移率的n型有机小分子材料C60，源漏电极为金属铝。本发明的优点是：以8-羟基喹啉铝作为电极/有源层界面修饰层的有机场效应晶体管，能够获得更高的电子注入效率，进而获得更高的迁移率和更低的阈值电压，而且能够有效的阻挡金属原子向有源层渗透，本发明提供了一种提高n型有机场效应器件性能的较为简单实用的方法。该有机场效应晶体管的制备方法工艺简单、易于实施，便于推广应用。

主权项

一种8‑羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，其特征在于：包括栅电极、复合绝缘层、有源层、修饰层和源漏电极，其结构式为Si/SiO2/PMMA/C60/Alq3/Al，所述修饰层为8‑羟基喹啉铝并作为电极/有源层的阻挡层。