一种电容的形成方法

摘要

本发明提供一种电容的形成方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成导电层；在所述导电层上形成半球形颗粒多晶硅层；对所述半球形颗粒多晶硅层进行杂质掺杂；在杂质掺杂之后，对上述结构放于氧气氛围中进行退火工艺。本发明通过在低浓度氧气氛围中进行短时间退火，所述氧原子可以破坏半球形颗粒多晶硅层的接触表面上的晶格，使其发生晶格畸变，阻止位于所述接触表面上的杂质向半球形颗粒多晶硅内部扩散，进而可以在反向偏置时，抑制下电极的接触表面上形成耗尽层，以降低损耗率。

主权项

一种电容的形成方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成导电层；在所述导电层上形成半球形颗粒多晶硅层，作为第一电极；对所述半球形颗粒多晶硅层进行杂质掺杂；在掺杂后的半球形颗粒多晶硅层上形成介质层，及位于介质层上的第二电极；其特征在于，在形成介质层前，还包括对掺杂后的半球形颗粒多晶硅层进行退火工艺，所述退火工艺在氧气氛围中进行。