| 发明名称 | 贴合晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种贴合晶片的制造方法，包括：在结合晶片内部形成离子注入层的步骤；直接或经由氧化膜使结合晶片的注入有离子的表面与基体晶片的表面密接的步骤；以离子注入层为界来使结合晶片剥离的热处理步骤；其特征在于：通过在小于500℃的温度下进行预退火，然后在500℃以上的温度下进行剥离热处理，来进行使结合晶片剥离的热处理步骤，通过至少在第1温度下进行热处理后，在高于第1温度的第2温度下进行热处理来进行预退火。由此，提供一种高品质贴合晶片的制造方法，在采用智能剥离法(注册商标)制作贴合晶片时，在比剥离产生温度低的温度下，形成贴合强度高的状态，而制造出以减少缺陷为中心的高品质贴合晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN102224568A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN200980147233.1 | 申请日期 | 2009.10.14 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 石塚徹;小林德弘;能登宣彦 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 朴海今;向勇 |
| 主权项 | 一种贴合晶片的制造方法，至少包括：从由单晶硅所构成的结合晶片的表面，离子注入氢离子和稀有气体离子中的至少一种气体离子而在晶片内部形成离子注入层的步骤；直接或经由氧化硅膜使所述结合晶片的注入有离子的表面与基体晶片的表面密接的步骤；以及以所述离子注入层为界来使结合晶片剥离的热处理步骤；其特征在于：通过在小于500℃的温度下进行预退火，然后在500℃以上的温度下进行剥离热处理，来进行所述使结合晶片剥离的热处理步骤，通过至少在第1温度下进行热处理后，在高于第1温度的第2温度下进行热处理来进行所述预退火。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||