| 发明名称 | CMOS图像传感器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS图像传感器，包括：基底；位于所述基底内或表面的P型埋层；位于所述基底上的N型外延层，所述N型外延层包括多个像素单元，所述像素单元包括N型感光区，所述N型感光区的位置与所述P型埋层的位置相对应。一种CMOS图像传感器的形成方法，包括：提供基底；形成位于所述基底内或表面的P型埋层；形成位于所述基底上的N型外延层，所述N型外延层包括多个像素单元，所述像素单元包括N型感光区，所述N型感光区的位置与所述P型埋层的位置相对应。本发明实施例的CMOS图像传感器捕获电子的区域更深，像素单元间串扰更小、电子溢出更少，成像质量好。 | ||
| 申请公布号 | CN102222678A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN201110170576.9 | 申请日期 | 2011.06.22 |
| 申请人 | 格科微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 李杰;赵立新 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：基底；位于所述基底内或表面的P型埋层；位于所述基底上的N型外延层，所述N型外延层包括多个像素单元，所述像素单元包括N型感光区，所述N型感光区的位置与所述P型埋层的位置相对应。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区盛夏路560弄2号楼11层 | ||