| 发明名称 |
发光二极管 |
| 摘要 |
本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一导电层设置于第二半导体层远离基底的表面；一第二电极与所述导电层电连接；其中，一金属光栅设置于所述导电层的远离基底的表面，该金属光栅为多个金属微结构排列而成的二维阵列。 |
| 申请公布号 |
CN102222748A |
申请公布日期 |
2011.10.19 |
| 申请号 |
CN201010148893.6 |
申请日期 |
2010.04.16 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
朱钧;季鹏;杨风雷;金国藩 |
| 分类号 |
H01L33/38(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一导电层设置于第二半导体层远离基底的表面；一第二电极与所述导电层电连接；其特征在于，一金属光栅设置于所述导电层的远离基底的表面，该金属光栅为多个金属微结构排列而成的二维阵列。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
