发明名称 一种制备高温超导涂层导体La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>缓冲层薄膜的方法
摘要 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法,包括以下步骤:将硝酸镧(La(NO3)3·6H2O)和硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)溶解在乙二醇甲醚中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙二醇-20000(polyethylene glycol,PEG-20000),制成成膜性好的胶体;再将胶体涂覆在基片上,干燥后,放入烧结炉中烧结成相,即得镧锆氧(La2Zr2O7)高温超导涂层导体缓冲层。该方法的制作成本低,易制得高品质的La2Zr2O7薄膜,能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。
申请公布号 CN102222761A 申请公布日期 2011.10.19
申请号 CN201110090543.3 申请日期 2011.04.12
申请人 西南交通大学 发明人 张欣;张勇;赵勇;程华;张敏;王文涛
分类号 H01L39/24(2006.01)I 主分类号 H01L39/24(2006.01)I
代理机构 成都博通专利事务所 51208 代理人 陈树明
主权项 一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法,其步骤是:a、无水溶液制备:将硝酸镧(La(NO3)3·6H2O)和硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)按镧、锆的离子数量比等于1∶1的比例,溶解在乙二醇甲醚中,形成无水溶液;b、胶体制备:在a步的无水溶液中加入聚乙二醇‑20000形成胶体;c、胶体涂敷与干燥:将b步制得的胶体涂覆在基片上,再进行干燥;d、热分解处理:将涂敷有胶体的基片置于烧结炉中,并在整个热分解处理过程中通入H2体积含量为5%的H2‑Ar混合气,使炉温从室温以0.7℃/min的速度升至340℃‑420℃,再以1.0‑1.4℃/min的速度升至570℃‑600℃,再保温0.5‑1小时,然后让炉自然降温至室温。e、烧结成相:将热分解处理后的基片放入烧结炉中,先往烧结炉中通入H2体积含量为5%的H2‑Ar混合气,再将炉温以25‑100℃/min的速度升至970℃‑1000℃,保温0.5‑1小时,然后让炉自然降温至室温,即得。
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