半导体装置以及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置，包括：衬底上的绝缘膜、嵌入在所述绝缘膜的第一像素电极；所述绝缘膜上的岛状单晶半导体层、栅极绝缘膜、栅电极；覆盖所述岛状单晶半导体层及所述栅电极的层间绝缘膜；使所述高浓度杂质区域和所述第一像素电极电连接的布线；覆盖所述层间绝缘膜、所述岛状单晶半导体层、所述栅电极且开口形成在所述第一像素电极上的区域的分隔壁；形成在所述像素电极上的由所述分隔壁围绕的区域的发光层；以及电连接到所述发光层的第二像素电极，其中所述第一像素电极的与所述发光层接触的面平坦，并且所述绝缘膜和所述岛状单晶半导体层接触的面与所述第一像素电极和所述发光层接触的面大致一致。本发明还涉及该半导体装置的制造方法。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底上的键合层；所述键合层上的绝缘膜和第一像素电极，该第一像素电极嵌入在所述绝缘膜中；所述绝缘膜上的岛状单晶半导体层；所述岛状单晶半导体层中的沟道形成区域和高浓度杂质区域；所述岛状单晶半导体层上的栅极绝缘膜和栅电极；覆盖所述岛状单晶半导体层、所述栅极绝缘膜、及所述栅电极的层间绝缘膜；所述层间绝缘膜上的布线，该布线使所述高浓度杂质区域和所述第一像素电极电连接；覆盖所述层间绝缘膜、所述岛状单晶半导体层、所述栅极绝缘膜、及所述栅电极且开口形成在所述第一像素电极上的区域的分隔壁；形成在所述第一像素电极上的由所述分隔壁围绕的区域的发光层；以及所述发光层及所述分隔壁上的电连接到所述发光层的第二像素电极，其中，所述第一像素电极的与所述发光层接触的面平坦，并且，所述绝缘膜和所述岛状单晶半导体层接触的面与所述第一像素电极和所述发光层接触的面相同。