| 发明名称 | 电容器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种电容器及其形成方法，所述电容器包括：多个伪电极，形成于半导体基底上且呈阵列排布；介质层，形成于所述伪电极和半导体基底表面上；第一电极和第二电极，形成于所述介质层上，所述第一电极和第二电极间填充有绝缘物。本发明改善了电容器的失配问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102222702A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN201010154752.5 | 申请日期 | 2010.04.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 钱蔚宏;程仁豪 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种电容器，其特征在于，包括：多个伪电极，形成于半导体基底上且呈阵列排布；介质层，形成于所述伪电极和半导体基底表面上；第一电极和第二电极，形成于所述介质层上，所述第一电极和第二电极间填充有绝缘物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||