| 摘要 |
<p>본 발명에 따른 플렉서블 소자 제조방법은 실리콘 기판상의 실리콘 산화물층에 제 1 금속층을 적층하는 단계; 상기 제 1 금속층상에 소자를 적층하는 단계; 상기 제 1 금속층을 어닐링하여, 상기 제 1 금속을 제 1 금속 산화물로 산화시키는 단계; 상기 제 1 금속산화물을 식각하여, 상기 소자과 실리콘 산화물층을 분리하는 단계; 및 상기 분리된 소자를 별도의 전사층을 이용하여 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 플렉서블 소자 제조방법은 실리콘 기판 자체를 식각하는 종래 기술과 달리 실리콘 기판상에 간단히 적층되는 별도의 금속산화물층을 식각하는 방식으로 상부의 소자를 기판으로부터 분리한다. 이로써, 공정 진행에 따른 실리콘 기판의 물리적 손실을 방지할 수 있으며, 단결정 실리콘 기판을 사용함에 따른 고비용을 절감할 수 있다.</p> |
