制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法

摘要

本发明属于半导体纳米材料应用技术领域，尤其涉及一种应用电化学技术制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法。本发明以载有ZnO纳米管阵列的导电玻璃作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极；以含有S粉和CdCl2的二甲基亚砜溶液作为电解液，通过对所述的工作电极和对电极之间施加恒定电流，在ZnO纳米管上电化学沉积出CdS薄膜，从而制得CdS/ZnO纳米管阵列光电极。该CdS/ZnO纳米管阵列光电极在光电化学分解水制氢领域表现出优异的性能。

主权项

一种制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法，其特征是，所述的方法包括以下步骤：(1)ZnO纳米管阵列的制备：在含有5mM Zn(Ac)2和0.1M KCl的温度为85℃的去离子水溶液中，以清洗干净的导电玻璃作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极组成三电极体系；对所述的工作电极施加‑1.0V的恒定电压，在所述的导电玻璃上得到ZnO纳米棒阵列；将生长有ZnO纳米棒阵列的导电玻璃基底浸泡于含有0.2M KOH的温度为85℃的去离子水溶液中，制得ZnO纳米管阵列；(2)CdS的电沉积：在含有S粉和CdCl2的二甲基亚砜溶液中，以步骤(1)制备得到的ZnO纳米管阵列作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极组成三电极体系；通过对所述的工作电极和对电极之间施加恒定电流，在所述的ZnO纳米管上沉积出CdS薄膜，将所述的工作电极从溶液中取出，清洗，用惰性气体吹干，得到所述的CdS/ZnO纳米管阵列光电极。